skd503t场效应管参数(场效应管是干什么用，主要参数？)
skd502t场效应管参数SKD502T场效应管参数如下：1、型号：SKD502T类型：N沟道场效应管漏极电流：管壳温度=25℃时为120。场效应管是干什么用，主要参数？场效应管主要是用来做开关或者用在升压板上，主要的参数为Vds（耐电压），Ids（耐电流）以及Rds。
skd502t场效应管参数
SKD502T场效应管参数如下：
1、型号：SKD502T类型：N沟道场效应管漏极电流(ID)：管壳温度(Tc)=25℃时为120。
2、A漏极和源极电压(VDSS)：85V漏极和源极通态电阻(RDS(on))：0.0055Ω总耗散功率(Ptot)：管壳温度(Tc)=25℃时为174W封装：TO-220。
场效应管是干什么用，主要参数？
场效应管主要是用来做开关或者用在升压板上，主要的参数为Vds（耐电压），Ids（耐电流）以及Rds（on）（导通电阻）。求助场效应管的参数
2SK4107 MOSFET晶体管. 目录. 参数. 数据表 (PDF)制造商零件编号: 2SK4107 种类: MOSFET 沟道类型: N-Channel 最大耗散功率 (Pd): 150W 漏源电压 (Uds): 500V 漏栅电压 (Udg): 栅源电压 (Ugs): 最大漏极电流 (Id): 15A 最大工作温度 (Tj): 导通上升时间 (tr): 输出电容 (Cd), pf: 静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 制造商: Toshiba 封装形式: TO-3P(N) 主要用途: power MOSFET (Nch 250V<500V
